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IRF5804PbF
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd , Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
12
10
I D = 2.5A
V DS = 32V
V DS = 20V
1000
100
Ciss
Coss
8
6
4
Crss
2
10
1
10
100
0
0
2
4
6
8
10
10
- -V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150 ° C
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
10
1
T J = 25 C
°
1
Tc = 25°C
100μsec
1msec
0.1
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
V GS = 0 V
1.2
1.4
0.1
Tj = 150°C
Single Pulse
1
10
10msec
100
1000
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
-VDS , Drain-toSource Voltage (V)
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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